1991-07-01  –  1991-12-31

109.545,50 EUR

ADW - Zentralinstitut für Elektronenphysik - Institut Adlershof, Berlin, Berlin

0329230A/1

Dünnschichttechnologien Sonstige Materialien/Technologien [EB1028]

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Das Projekt hatte zum Ziel, die Eignung halbleitender Silizide für photovoltaische Anwendungen zu bewerten. Kriterien für geeignete Materialien sind dabei Langzeitstabilität, Verfügbarkeit der Komponenten, Ungiftigkeit der Stoffe, Einfachheit des Herstellungsprozesses und technologischer Abscheideverfahren.
Aufgabe war es, die Zusammenhänge zwischen Präparation beziehungsweise Struktur und den elektrischen und optischen Eigenschaften ausgewählter halbleitender Silizide zu analysieren. Daraus sollten Schlussfolgerungen bezüglich ihrer Eignung für die Photovoltaik gezogen werden.
Dazu wurden verschiedene Phasen hergestellt und auf ihre strukturellen, atomar-chemischen, elektrischen und optischen Eigenschaften hin untersucht. Die Phase ß-FeSi2 erwies sich am besten geeignet für photovoltaische Anwendungen. Für die Bildung phasenreiner Schichten konnte durch kodeponierte Gemische die niedrigste Kristallisationstemperatur erreicht werden. Die hohe Löcherkonzentration in undotierten Schichten wurden als Problem beschrieben.