Verbundprojekt: SiC-PASS - Siliciumkarbid als Passivierungsschicht auf der Rückseite von Solarzellen
Zeitraum
2006-09-01 – 2008-12-31
Bewilligte Summe
189.019,95 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0327610B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Um die Kosten von Solarzellen aus Siliciumwafern zu senken, ist es notwendig, die Waferdicke zu reduzieren. Dabei treten bei Standardzellstrukturen allerdings vermehrt elektrische und optische Verluste an der Zellrückseite auf. Deshalb muss die Rückseite elektrisch passiviert und optisch verspiegelt werden. Ziel des Projektes SiC-Pass ist es, in einem Plasmaschritt, wie er auch zur Beschichtung der Vorderseite bereits verwendet wird, eine Passivierungsschicht auf der Rückseite aufzubringen und diese lokal durchzukontaktieren. Vorversuche haben Silicumkarbid als besonders geeignetes Schichtmaterial ausgewiesen. Der Fokus der Projektpartner Fraunhofer ISE und Roth & Rau liegt auf der Optimierung der Schichteigenschaften und der Prozesstechnologie.
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