HT CIGS - Entwicklung von Ca(In, Ga)S2-Dünnschichtmodulen Teilprojekt: Stationäre Photolumineszenz zur optoelektronischen Charakterisierung von Absorbern und Qualifizierung der Methode als in-line Prozesskontrolle
Zeitraum
2010-10-01 – 2012-09-30
Bewilligte Summe
128.364,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0327589G
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Chalkopyrite [EB1022]
Verbundvorhaben
01079741/1 – HT CIGS-Entwicklung von Cu(In, Ga)S2-Dünnschichtsolarmodulen
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Projekt hatte zum Ziel, Solarmodule aus Kupfer, Indium, Gallium und Sulfid – Cu(In,Ga)S2 – weiterzuentwickeln. Aufgabe des Helmholtz-Zentrums Berlin für Materialien und Energie war es, die idealen Prozessbedingungen für die Synthese dieses Absorbertyps mittels reaktiven Anlassens von Cu-In-Ga-Vorläuferschichten in Schwefelatmosphäre zu erforschen. Die Kinetik der Verbindungsbildung sowie die Entwicklung der Ga-Tiefenverteilung und der Korngrößen wurden dazu während des Herstellungsverfahrens mit Hilfe einer In-situ-Prozesskammer in Echtzeit durch Röntgendiffraktion und Fluoreszenzanalyse untersucht. Auf Basis der Erkenntnisse wurde der Herstellungsprozess modifiziert und ein neuer zertifizierter Rekordwirkungsgrad für Cu(In,Ga)S2-Solarzellen von 13,1 Prozent erreicht.
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