2006-06-01  –  2009-05-31

1.851.110,20 EUR

Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Berlin, Berlin

0327581

Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Das Gesamtziel des Vorhabens warder Aufbau und Betrieb einer Cluster-Depositionsanlage, die verschiedene Abscheideverfahren wie plasma-unterstütze Prozesse (PECVD), Sputtertechniken und Elektronenstrahlverdampfung kombiniert. Sie erlaubt es, Si und Si-Legierungen wie auch transparente leitfähige Kontaktschichten (TCO’s) über einen weiten Temperaturbereich herzustellen, um alle Materialien und Grenzflächen für ihre Aufgaben in neuartigen und kostengünstigen Si-Dünnschichtsolarzellen maßzuschneidern. Ein besonderer Vorteil ist dabei die Kombination der unterschiedlichen Verfahren in einem Vakuumsystem, sodass komplette Schichtpakete bestehend aus TCO’s und unterschiedlichen Si-Schichten ohne Vakuumbrüche und damit verbundene zusätzlichen Präparationen von Grenzflächen möglich sind.