Emitter für ein- und multikristalline Silicium-Solarzellen durch Laserdotierung
Zeitraum
2005-06-01 – 2008-05-31
Bewilligte Summe
1.338.433,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0327519
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Die kostengünstige Herstellung von Solarzellen erfordert einfache und schnelle Einzel-Prozessschritte, die sich in einen kontinuierlichen Fertigungsprozess integrieren lassen. Der am ipe entwickelte Laser-Dotierprozess erfolgt bei Zimmertemperatur, unter Umgebungsbedingungen, ist in-line fähig und kann in eine bestehende Produktionslinie integriert werden. Die Laserdotierung erzeugt z.B. mit nur einem zusätzlichen Prozessschritt einen selektiven Emitter, wobei alle vorausgehenden und nachfolgenden Prozessschritte in einer Produktionslinie beibehalten werden können. Zusammen mit einem Industriepartner konnten wir nachweisen, dass sich hiermit der Wirkungsgrad von Solarzellen um 0.2 % steigern lässt. Solarzellen mit ganzflächig laserdotiertem Emitter erzielen einen Wirkungsgrad von 16.2 %.
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