Verbundvorhaben 'Höchstintegrierter Modulwechselrichter mit GaN-Transistoren und eingebetteten induktiven und kapazitiven Bauelementen'; Teilvorhaben: Entwicklung der Leistungselektronik für einen hochkompakten Modulwechselrichter mit GaN Transistoren.
Zeitraum
2015-09-01 – 2018-08-31
Bewilligte Summe
750.019,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325890A
Leistungsplansystematik
Systemtechnik Netzkopplung [EB1051]
Verbundvorhaben
01161565/1 – HiGaN - Höchstintegrierter Modulwechselrichter mit GaN-Transistoren und eingebetteten induktiven und kapazitiven Bauelementen
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
In diesem Forschungsprojekt sollen neue Technologien erforscht werden, die zu kleineren, leichteren, effizienten und preiswerteren Modulwechselrichtern führen. Dabei sollen folgende Ziele beim zu entwickelnden Modulwechselrichter erreicht werden: - Montierbarkeit direkt am Modul (im Idealfall Ersatz der Anschlussdose) - Maximales Gewicht von unter 1kg - Wirkungsgrad mindestens genauso hoch bei erhältlichen Modulwechselrichtern - Geringe spezifische Kosten in €/kW Zunächst werden durch das Konsortium die Anforderungen entwickelt und ein Lastenheft erarbeitet. Diese Anforderungen stellen die Basis für die sich anschließenden Entwicklungsschritte dar (Konzeptentwicklung zur Lösung der formulierten Herausforderungen, Topologieentwicklung, Aufbau der Hardware, Entwicklung und Implementierung der Regelung, Tests und Optimierungen).
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