Verbundvorhaben: 'Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si Wafer (ENOWA_II); Teilvorhaben: Analyse und Optimierung der Trenn- und Reinigungsprozesse'
Zeitraum
2015-01-01 – 2016-09-30
Bewilligte Summe
297.021,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325805I
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01158902/1 – Entwicklung hocheffizienter und kosteneffizienter PV-Si-Wafer
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Mit den Arbeiten des CSP-Teilprojektes sollen wesentliche Beiträge zum Thema 'Herstellung von Waferscheiben aus Quasimono-Material durch Trennschleifen mit gebundenem Korn' geleistet werden. Die Schwerpunkte liegen vor allem auf den Arbeitspaketen des Gesamtprojektes, welche sich mit der Weiterentwicklung des Trennprozesses selbst bzw. mit der nachfolgenden Waferreinigung befassen. Für die geplanten Arbeiten am Fraunhofer-CSP ergeben sich folgende Teilziele: Verständnis des Sägeschadens, Verringerung der Bruchanfälligkeit, geeignete Analytik für organische Oberflächen-kontamination, Weiterentwicklung der Reinigungsprozesskette Im Bereich der Arbeiten zum Sägeprozess wird das Abtragsverhalten Silizium-Diamant analysiert, die Festigkeit und des Versagens der diamantdrahtgesägten Wafers betrachtet, sowie ein Modell zum Abtragsverhalten zwischen Silizium und Diamant entwickelt. In der Waferreinigung werden Methoden zur quantitativen Bestimmung der organischen Oberflächenkontamination entwickelt und damit chemische Analysen durchgeführt zur Weiterentwicklung und Vereinfachung der Reinigungsprozesskette.
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