Verbundvorhaben: SIMPLEX - Hocheffiziente Vakuumbeschichtungen von passivierenden Schichtsystemen auf c-Si Solarzellen, Teilprojekt Monitoring des Schichtwachstums ultradünner dielektrischer Schichten
Zeitraum
2014-10-01 – 2017-12-31
Bewilligte Summe
262.064,65 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325754C
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01154817/1 – Simulation-Plasma-Analytik-Experiment-Hocheffiziente Vakuumbeschichtung von passivierenden Schichtsystemen auf c-Si-Solarzellen
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Innerhalb des Verbundprojekts SIMPLEX (Simulation und Experiment: Plasmabeschichtungen von passiven Schichtsystemen auf c-Si-Solarzellen) trägt SENTECH mit der ALD-Beschichtung ein Verfahren bei, welches für die kontourtreue und dichte Abscheidung auch im Monolagenbereich bekannt ist. Damit kann die PECVD der Partner hinsichtlich erreichbarer Eigenschaften (Schichtdichte, chemische Zusammensetzung u.a.) verglichen werden. Der zweite Beitrag im Projekt ist die exsitu Charakterisierung im breiten Spektralbereich mit spektroskopischer Ellipsometrie, auch im mittleren Infrarot (Schwingungsbanden). Insgesamt zielt das Teilprojekt 'Monitoring des Schichtwachstums ultradünner dielektrischer Schichten' auf die Analyse des Wachstums von Schichten im Bereich von 1 nm ...10 nm mittels der PECVD ab. Das Abscheiden so dünner geschlossener Schichten ist eine prozesstechnische Herausforderung, bei der das Monitoring des Plasmas durch die Projektpartner durch die Ellipsometrie mit einem Monitoring des generierten Produktes ergänzt werden soll. Mit diesem Monitoring soll zum einen der Abscheideprozess erforscht werden: Wann wird wieviel abgeschieden und was entsteht? 1. Schichtabscheidung, 2. Simulation, 3. In-situ-Charakterisierung, 4. Ex-situ-Charakterisierung
Weitere Informationen