Verbundvorhaben: Cost-efficient High-throughput Ion-implantation for Photovoltaics - CHIP
Zeitraum
2012-07-01 – 2015-06-30
Bewilligte Summe
879.095,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325480A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ziel des Verbundvorhabens ist es, die Ionenimplantation (als Technik zur lokalen Dotierung von Mikroelektronik) auf die Photovoltaik zu übertragen. Da diese nur auf eine Waferseite wirkt, können n-Typ-PERT(Passivated Emitter and Rear, Totally Doped)-Zellen sehr einfach hergestellt werden: Um die Bor-Dotierung auf der Vorderseite sowie die Phosphor-Dotierung auf der Rückseite zu erzeugen, sind keine Diffusionsbarrieren nötig. Für die Ausheilung beider Spezies soll ein kostengünstiger Prozess entwickelt werden. Projektziel ist ein Wirkungsgrad von mehr als 21 Prozent. Der Zellprozess soll auf industrietypischen Anlagen am ISFH entwickelt werden.
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