Rückseiten-Siliziumzelle mit Laserdotierung (Rück-Si)
Zeitraum
2010-06-01 – 2013-09-30
Bewilligte Summe
2.822.219,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325213
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Im Rahmen des Projektes Rück-Si wurde mit einem Wirkungsgrad von 22 Prozent ein neuer Spitzenwert für Zellen aus kristallinem Silicium erzielt. Der am Institut entwickelte Laserprozess erlaubt die Herstellung von Rückseitenkontaktzellen ohne jegliche Maskierschritte und macht damit fast die Hälfte der Prozessschritte überflüssig, die bislang bei ihrer industriellen Produktion nötig sind. Da bei diesem Zellentyp alle Kontakte auf der Rückseite liegen, muss dort die Dotierungen und Kontaktierungen sehr fein strukturiert sein. Zur Fertigung dieser feinen Strukturen sind aufwendige und teure Maskierschritte notwendig, die durch die Laserprozesse entfallen.
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