EpiEm-B: Selektive Emitter und innovative Metallisierung für Hocheffizienz-Solarzellen mit epitaktischem Emitter
Zeitraum
2010-08-01 – 2013-07-31
Bewilligte Summe
249.090,62 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325199B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ziel des Forschungsvorhabens war es, eine innovative Metallisierung mit direkt-galvanischen Ni/Ag Kontakten zu entwickeln und marktfähig zu machen.
Während der Laufzeit des Vorhabens wurde die Prozesssequenz Laserablation -> Ni/Ag Plating -> Sintern gefunden. Mit dieser war es möglich, einen, in der Theorie, wettbewerbsfähigen Gesamtprozess zu entwickeln. Die erste im Vorhaben entwickelte Prozesssequenz, Laser Chemical Processing (LCP) -> Ni/Ag Plating, wurde trotz erfolgreicher Entwicklung verworfen. Aufgrund der mangelden Verfügbarkeit von epitaktischen Emitter auf Wafern der Größe 156 x 156 mm², wurde auf industrielle Halbzellen mit diffundierten Emittern zurückgegriffen. Dies hatte zur Folge, dass zwei Meilensteine nicht erreicht werden konnten. Dennoch wurden die erzielten Ergebnisse als direkt in die industrielle Produktion übertragbar angesehen.
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