Verbundvorhaben: HGÜ Projekt - Leistungselektronik mit höherer Energieeffizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit; Teilvorhaben: Leistungshalbleiter
Zeitraum
2016-04-01 – 2019-03-31
Bewilligte Summe
1.182.161,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0324023A
Leistungsplansystematik
Netze [EB1820]
Verbundvorhaben
01168169/1 – HGU-Projekt - Leistungselektronik mit höherer Energieeffizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESI6)
Förderprogramm
Energie
Im Teilvorhaben von lnfineon gilt es den vorhanden Grundaufbau des RC IGBTs massiv zu verändern und zu erweitern, um für die speziellen Anforderungen der HGÜ Anwendung den Schritt hin zu einem druck-kontaktierten RC IGBT vorzubereiten. Chip-Metallisierungen sind zu erforschen, so dass sie zusammen mit dem neuen Verbindungssystem ein robustes und zuverlässiges Kontaktsystem bilden. Darüber hinaus gilt es Montage- und Kontaktierungskonzepte für druckfeste Aufbauten zu finden. Die wissenschaftliche und technische Aufgabe ist es, die verschiedenen Grenzflächen und Schichtparameter zu untersuchen und aufeinander abzustimmen, damit sie unter Druck und starken thermischen Variationen den extremen Belastungen standhalten. Schutz gegen Umwelteinflüsse und Maßnahmen zur gleichmäßigen Druckbelastung im Gehäuse sind u.a. herausfordernde Ziele mit hohem Innovationsgrad und technischen Risiken, um die spätere sichere Funktion des Bauelements in der Applikation vorzubereiten.
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