Verbundvorhaben: SiMatPV-1- Silizium Materialplattform für die Photovoltaik- Ingotherstellung und Waferproduktion der nächsten Generation, Schwerpunkt Anlagenentwicklung Kristallisation und Wafering; Teilvorhaben: Anlagenentwicklung Kristallisation
Zeitraum
2025-06-01 – 2028-05-31
Bewilligte Summe
283.266,56 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1236B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01281333/1 – SiMatPV-1 - Silizium Materialplattform für die Photovoltaik – Ingotherstellung und Waferproduktion der nächsten Generation,Schwerpunkt Anlagenentwicklung Kristallisation und Wafering
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWE.IIC2)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Um in Deutschland eine PV-Produktion wieder anzusiedeln, soll im ersten Schritt die Verfügbarkeit von modernsten Produktionsanlagen für die Kristallisation und die Wafer-Herstellung als Schlüsselfaktor für die nachfolgende Wertschöpfungskette gewährleistet werden. Verfügbarkeit bedeutet hier insbesondere wirtschaftliche Unabhängigkeit von ausländischen bzw. außereuropäischen Herstellern. Im Rahmen dieses Verbundprojektes soll die PVA Crystal Growing Systems GmbH eine Czochralski-Kristallisationsanlage bereitstellen, die nicht nur dem aktuellen technischen Stand chinesischer Anlagen entspricht, sondern auch die Maßstäbe für die nächste absehbare Anlagengeneration erfüllt. Beim Projektpartner Fraunhofer CSP soll die Pilotanlage 'CGS 1000 PV' installiert werden, um im Verbund mit den Projektpartnern ein Kompetenzzentrum für die Ingot- und Wafer-Herstellung zu installieren und zu betreiben. Die Voraussetzungen am Fraunhofer CSP sind ideal einmal wegen der vorhandenen Infrastruktur, zum anderen wegen der engen Vernetzung zu allen relevanten Technologie-Instituten.