2019-07-01  –  2022-12-31

306.538,00 EUR

Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP, Halle (Saale), Sachsen-Anhalt

03EE1013A

Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]

01187594/1  –  WaGner - Silizium Mono-Wafer für Zellkonzepte der nächsten Generation

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Ein Drittel der Modulkosten fallen nach wie vor auf den Bereich Ingot-und Waferherstellung. Der Preisdruck hat sich aktuell nochmals erhöht, ohne Reduktion der Herstellungskosten und/oder Erhöhung der Produktivität werden sich viele Hersteller mit wirtschaftlichen Schwierigkeiten konfrontiert sehen. Gleichzeitig zeigt die Entwicklung eindeutig in Richtung Hoch- und Höchsteffizienzzellen. Der Fokus liegt im Bereich Material- und Prozessentwicklung für die Ingotherstellung und die Waferproduktion, Produktivitätserhöhung und Qualifizierung der Wafer für Hocheffizienzprozesse: 1. GALLIUM DOTIERTES P-TYP MATERIAL – Eliminierung von LID (Light Induced Degradation) und Erhöhung der Lebensdauer durch Vermeidung des Bor-Sauerstoffkomplexes / Untersuchung der Defektstruktur in Gallium-dotierten Ingots 2. STRUKTURIERTER DRAHT: Kombination mit diamant-basierter Slurry – Erhöhung des Durchsatzes / Nutzung von numerischen Simulationen zur Optimierung der Drahtstruktur 3. QUALIFIZIERUNG UND VALIDIERUNG DER WAFER für Hocheffizienzprozesse – Nachweis der Produktionstauglichkeit dünner, Gallium-dotierter Wafer für die Zellherstellung (PERC) Im Projekt soll untersucht werden, welche Vorteile und Einsatzmöglichkeiten Ga-dotierte, dünne Wafer für die Photovoltaikindustrie beinhalten.