Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV Teilprojekt FBH: Entwicklung von vertikalen FinFETs auf GaN Substraten
Zeitraum
2022-06-01 – 2025-05-31
Bewilligte Summe
1.030.498,05 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EN4033F
Leistungsplansystematik
Energiesparende Industrieverfahren - Elektrotechnik [EA3253]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESN4)
Förderprogramm
Energie
Ziel des vorgeschlagenen Projektes ist es, durch die Erforschung und Entwicklung zukunftsweisender vertikaler Transistor-Architekturen, das volle Potenzial des Halbleitermaterials GaN für Leistungsanwendungen nutzbar zu machen mit dem Ziel leistungsfähige Transistoren mit niedrigen statischen und dynamischen Verlusten und hoher Spannungsfestigkeit zu demonstrieren. Im Detail sollen GaN basierte FinFETs auf GaN Substraten entwickelt werden. Die niedrige Defektdichte solcher Substrate ermöglicht qualitativ hochwertige Epitaxieschichten und damit effizient schaltende Vertikaltransistoren. Diese sollen in enger Abstimmung zwischen Material, Prozesstechnologie so entwickelt werden, dass sie im Laufe des Projekts in Systemdemonstratoren eingesetzt werden können.